VLSI Design

这个应用程序是一个完整的 VLSI 设计免费手册，涵盖了课程中的重要主题、笔记、材料。

它详细介绍了 VLSI 设计的 90 多个主题。这些主题分为 5 个单元。

它是电子和通信工程教育的一部分，提供有关该主题的重要主题、笔记、新闻和博客。下载该应用程序作为电子和通信工程主题的快速参考指南和电子书。

该应用程序专为考试和面试时的快速学习、修订、参考而设计。

这个应用程序涵盖了大部分相关主题和所有基础主题的详细解释。

本工程电子书中涵盖的一些主题包括：

1. 半导体存储器：介绍及种类

2.只读存储器（ROM）

3. 三晶体管DRAM单元

4.一个晶体管DRAM单元

5.闪存

6. 低功耗 CMOS 逻辑电路：简介

7. CMOS反相器的设计

8. MOS Inverters：开关特性介绍

9. 基于扫描的技术

10. 内置自检 (BIST) 技术

11. 超大规模集成电路设计的历史前景：摩尔定律

12、CMOS数字电路类型分类

13. 电路设计示例

14. 超大规模集成电路设计方法

15. 超大规模集成电路设计流程

16. 设计层次

17. 规律性、模块化和局部性的概念

18. CMOS 制造

19. 制造工艺流程：基本步骤

20. nMOS晶体管的制作

21. CMOS 制造：p-well 工艺

22. CMOS制造：n阱工艺

23. CMOS 制造：双槽工艺

24. 棒图和掩模版图设计

25. MOS晶体管：物理结构

26.外部偏压下的MOS系统

27. MOSFET的结构与工作

28. 阈值电压

29. MOSFET的电流电压特性

30. MOSFET缩放

31. 缩放的影响

32. 小几何效果

33. MOS 电容

34. MOS逆变器

35. MOS逆变器的电压传递特性（VTC）

36. 带n型MOSFET负载的逆变器

37. 阻性负载逆变器

38. 耗尽型负载逆变器的设计

39. CMOS反相器

40. 延迟时间定义

41. 延迟时间的计算

42. 具有延迟约束的逆变器设计：示例

43.组合MOS逻辑电路：介绍

44. 具有耗尽型 nMOS 负载的 MOS 逻辑电路：双输入或非门

45. 具有耗尽型 nMOS 负载的 MOS 逻辑电路：具有多个输入的通用 NOR 结构

46. 具有耗尽型 nMOS 负载的 MOS 逻辑电路：NOR 门的瞬态分析

47. 具有耗尽型 nMOS 负载的 MOS 逻辑电路：双输入与非门

48. 具有耗尽 nMOS 负载的 MOS 逻辑电路：具有多个输入的通用 NAND 结构

49. 具有耗尽 nMOS 负载的 MOS 逻辑电路：与非门的瞬态分析

50. CMOS逻辑电路：NOR2（二输入NOR）门

51. CMOS NAND2（两输入与非）门

52. 简单 CMOS 逻辑门的布局

53. 复杂逻辑电路

54. 复杂的 CMOS 逻辑门

55. 复杂 CMOS 逻辑门的布局

56. AOI 和 OAI 盖茨

57. 伪 nMOS 门

58. CMOS 全加器电路和进位纹波加法器

59. CMOS传输门（Pass Gates）

60. 互补通路晶体管逻辑 (CPL)

61.顺序MOS逻辑电路：简介

62. 双稳态元件的行为

63. SR 锁存电路

64. 时钟 SR 锁存器

65. 时钟 JK 锁存器

66. 主从触发器

67. CMOS D-Latch 和边沿触发触发器

68.动态逻辑电路：简介

69. 传输晶体管电路的基本原理

由于字数限制，未列出所有主题。

每个主题都配有图表、方程式和其他形式的图形表示，以便更好地学习和快速理解。

这个应用程序将有助于快速参考。使用这个应用程序可以在几个小时内完成所有概念的修改。

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